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1. sic器件的发展与前景？
2. 请问三极管的基极与集电极的电压信号为什么是互为相反的？

sic器件的发展与前景？

1.碳化硅（SiC）的定义

碳化硅（SiC）电力电子器件是指***用第三代半导体材料SiC制造的一种宽禁带电力电子器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC电力电子器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管、PiN二极管和超结二极管;功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管（MO***ET）、结型场效应开关管（JFET）、双极型开关管（BJT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、门极可关断晶闸管（GTO）和发射极可关断晶闸管（ETO）等。

2.技术优势

碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅器件相比具有以下突出的优点：

（1）具有更低的导通电阻。在低击穿电压（约50V）下，碳化硅器件的比导通电阻仅有1.12uΩ，是硅同类器件的约1/100。在高击穿电压（约5kV）下，比导通电阻提高到25.9mΩ，却是硅同类器件的约1/300。更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗，从而能获得更高的整机效率。

（2）具有更高的击穿电压。例如：商业化的硅肖特基二极管通常耐压在300V以下，而首个商业化的碳化硅肖特基二极管的电压定额就已经达到了600V;首个商业化的碳化硅MO***ET电压定额为1200V，而常用的硅MO***ET大多在1kV以下。

（3）更低的结-壳热阻，使得器件的温度上升更慢。

（4）更高的极限工作温度，碳化硅的极限工作稳定可有望达到600℃以上，而硅器件的最大结温仅为150℃。

（5）更强的抗辐射能力，在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。

（6）更高的稳定性，碳化硅器件的正向和反向特性随温度的变化很小。

回答如下：SIC (Silicon Carbide)器件是一种新型的半导体器件，相较于传统的硅材料，SIC材料拥有更高的耐温、耐压、耐辐照等特性。因此，SIC器件在高温、高压、高频、高能辐射、高速等环境下有着更加优越的性能。SIC器件主要应用于电力电子、光电子、汽车电子、航空航天等领域。

随着SIC材料制备技术、器件设计、封装等方面的不断发展，SIC器件的性能得到了不断提升，同时成本也在不断降低，使得SIC器件在市场上具有更广泛的应用前景。据市场研究机构预测，未来几年SIC器件市场规模将不断扩大，预计到2025年，全球SIC器件市场规模将达到50亿美元以上。

请问三极管的基极与集电极的电压信号为什么是互为相反的？

这是一个电势的问题，发射极和集电极的电势是相反的，当基极无信号时，管子截止。集电极是加到电源正极，所以此时它是高电势，发射极是低电势。

当基极有信号时，管子开通由于电源的内电阻或是集电极之前接了电阻，电阻上有电压降，所以此时集电极上的电势下降，而此时反射极由于电源内电阻或发射极后接了电阻使其电压降上升导致发射极电势上升。

到此，以上就是小编对于bjt上升星座的问题就介绍到这了，希望介绍关于bjt上升星座的2点解答对大家有用。

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